技术参数
品牌: | ST |
型号: | STW62NM60N |
数量: | 500 |
类别: | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
制造商: | STMicroelectronics |
系列: | MDmesh™ II |
FET 类型: | N 通道 |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 65A(Tc) |
驱动电压( Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(值): | 49 毫欧 @ 32.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(值): | 174 nC @ 10 V |
Vgs(值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(值): | 5800 pF @ 100 V |
功率耗散(值): | 450W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
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