产品简介
技术参数品牌：ST型号：STD110N8F6数量：500制造商：STMicroelectronics产品种类：MOSFETRoHS：是安装风格：SMD/SMT封装/箱体：TO-252-3通道数量：1Channel晶体管极性：N-ChannelVds-漏源极击穿电压：80VId-连续漏极电流：80ARdsOn-漏源导通电阻：6
详情介绍
技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STD110N8F6 |
| 数量： | 500 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 80 V |
| Id-连续漏极电流： | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 150 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 167 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 2.4 mm |
| 长度： | 10.1 mm |
| 系列： | STD110N8F6 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.6 mm |
| 下降时间： | 48 ns |
| 上升时间： | 61 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 162 ns |
| 典型接通延迟时间： | 24 ns |
| 单位重量： | 4 g |
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