技术参数
品牌: | ON/安森美 |
型号: | NCV8402ASTT1G |
封装: | SOT223 |
批号: | 23+ |
数量: | 15000 |
制造商: | ON Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-223-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 42 V |
Id-连续漏极电流: | 2 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 200 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | V |
最小工作温度: | - 40 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | W |
配置: | Dual |
通道模式: | Enhancement |
资格: | AEC-Q101 |
系列: | NCV8402A |
晶体管类型: | 2 N-Channel |
下降时间: | 50 us |
上升时间: | 120 us |
典型关闭延迟时间: | 20 us |
典型接通延迟时间: | 25 us |
单位重量: | 250 mg |
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