产品简介
技术参数品牌：INFINEON/英飞凌型号：IKW40N120H3封装：TO247批号：23+数量：12650制造商：Infineon产品种类：IGBT晶体管RoHS：是封装/箱体：TO-247-3安装风格：ThroughHole配置：Single集电极—发射极电压VCEO：1200V集电极—射极饱和电压：2
详情介绍
技术参数
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IKW40N120H3 |
| 封装： | TO247 |
| 批号： | 23+ |
| 数量： | 12650 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| RoHS： | 是 |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极电压 VCEO： | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压： | V |
| 栅极/发射极电压： | 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 80 A |
| Pd-功率耗散： | 483 W |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 工作温度： | + 175 C |
| 系列： | HighSpeed 3 |
| 集电极连续电流 Ic： | 80 A |
| 栅极—射极漏泄电流： | 600 nA |
| 零件号别名： | IKW40N120H3FKSA1 SP000674416 IKW4N12H3XK IKW40N120H3FKSA1 |
| 单位重量： | 38 g |
- 上一篇： TLC6C5716QDAPRQ1 集成电路(IC) TI/德
- 下一篇： TPS78633DCQR 电源管理芯片 TI/德州仪
所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。