Centrotherm 高温退火炉系统-Activator 150

一、产品简介

Centrotherm Activator 150高温炉设计用于SiC或GaN器件注入后退火。Centrotherm工艺炉管和加热系统设，允许工艺温度达到 1850 ℃。

此外，Activator 150系列的产品可以实现生长石墨烯生长。通过碳化硅升华生长石墨层可以获得器件。

CentrothermSiC工艺炉管的研发用以满足新兴的150毫米 SiC工艺。

Centrotherm Activator 150-5是为研发工作而的，而Centrotherm Activator 150-50专为大批量生产设计。

的工艺范围实现了对自定义化程序的优化,例如温度,气路系统和压力。

二、典型应用

SiC器件高温退火 （注入后）

GaN器件退火

大面积石墨烯生长

SiC表面制备

三、产品特性

性能和

高活化效率

小表面粗糙度

温度可达 1850 ℃

占地面积小 [2]

升温速率可达 100 K/min

批处理晶片尺寸包括 2″、3″、4″、6″

批处理数量达到 40片2″/或3″硅片, 50片4″/或6″硅片

真空度小于10-3 mbar （可选）

可并排安装

选项

上下料腔室微环境控制

自动机械手装片

测温热偶