电子束光刻系统
产品特点
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术,电子束定位分辨率(address size)可达
4.采用轴对称图形书写技术,图形偏角分辨率可达
5.应用领域,如微纳器件加工,Si/GaAs
产品参数
产品参数
1.小线宽:小于10nm(8nm available)
2.加速电压:1-50kV
3.电子束直径:小于2nm
4.套刻精度:20nm(mean+2σ)
5.拼接精度:20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option)
7.描电镜分辨率:小于2nm
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