ICP 刻蚀机 ：高密度等离子蚀刻装置NE-550
特点：
等离子密度与向基板入射的能量能够单独控制，因此Process window宽。
均一性好。
离子性蚀刻到radical性蚀刻都能都大幅度控制。
构造简单，维护。
来自半导体技术研究所的工艺支持体制。
CS（Customer’s Support）解决方案的综合服务体制。
可选Cassette室，提高生产量。
丰富的Process Application：
: Inductively Super Magnetron有磁场ICP型
是可以由低电源得到稳定均一的放电，达到Damage少的蚀刻。
3.使用不挥发性材料的次时代memory‐Al2O3,磁性体，Pt, Ir, PZT, SBTO等
4.频率器件，光器件。
‐绝缘膜，GaAs/AlGaAs(In),AlGaInP,InP,SiC,ZnSe, Sapphire，GaN，STO/Pt, Au/Pt, W, WSi, Ti, Mo, Ta, BCB, Polyimide，BST, STO
5.各种传感器器件等Photo Nic结晶。
(micromachine）
装置构成 | L/L室+蚀刻室 | 特征 | 静磁场配置的贴切性 |
蚀刻方式 | ISM(有磁场ICP) | ULVAC | 高密度化与均一性控制 |
电源 | Antenna部1000W, Bias部300W | 等离子密度( Ar气) | 1×1011 |
Wafer尺寸 | 50~200mm, tip型，可以tray处理 | 电子温度(eV) | 3~5 |
Process室 | ISM是静电zipper+Gas冷却 | 放电稳定性(Pa) | |
排气系 | 蚀刻室：TMP+DRP | 均一性(±%) | 5 |
操作系 | PLC+TFT面板 | RF投入窗depot对策 | 有 |
Gas导入系 | MAX8系统（氯素系3） | 再现性、稳定性对策 | 有各种调温功能 |
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