离子注入设备

SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC

搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。

产品特性 / Product characteristics

•可实现自动连续高温处理注入

• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV

（Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）

•通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能；

（A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）

•可减轻操作员的负担

• 紧凑式设计

•可大范围对应从试作到量产的各类需求

产品应用 / Product application

• 对应SiC的离子注入装置。

研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500

中电流离子注入装置IMX-3500为能量200keV、对应晶圆尺寸8inch的离子注入装置，适用于大学等机构的研究开发。

产品特性 / Product characteristics

• 晶圆尺寸8inch，搭载了可对应不定形基板的台板。

•离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。

• HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。

产品应用 / Product application

• 教育、研究开发等

高能对应离子注入设备SOPHI-400

可对应至2400KeV的高能离子注入装置。

产品特性 / Product characteristics

•枚叶式

•可对应薄片Wafer

•平行Beam

产品应用 / Product application

• 功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺

可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30

低加速、高浓度对应的离子注入设备。

产品特性 / Product characteristics

•枚叶式

•可对应薄片

•非质量分离机的对比优点

1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备

2)相比过去约一半的

3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计

产品应用 / Product application

• Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺

产品参数 / Product parameters

•基板尺寸：Max200mm

日本UlVAC爱发科，公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC"。吞吐量为30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），“现已得到元件厂商的充分肯定，可用于量产"（Ulvac公司）。面向SiC元件量产的离子注入设备“为"（Ulvac公司），希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。

可在真空腔中连续更换晶圆

面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发，吞吐量较低，每天仅有几枚，不适合量产。吞吐量之所以较低，是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比，SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷，注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温，在控制结晶缺陷产生的同时，注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上，因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。

此次通过给设备配备可调温的静电吸盘（Electrostatic Chuck），解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力，将晶圆吸附到晶圆座上，能够在真空腔内连续更换晶圆。另外，通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构，能够一边向一个晶圆进行离子注入，一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此，将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。

实现了支持SiC的高注入能量

此次的设备除吞吐量之外，还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆，注入离子时在使晶圆保持高温的同时，还需要加大注入能量。其原因在于，在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散，因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了700keV，达到了量产所要求的水平。