ICP-RIE等离子刻蚀机SI 500

低损伤刻蚀

由于离子能量低，离子能量分布带宽窄，因此可以用我们的等离子体刻蚀机SI 500进行低损伤刻蚀和纳米结构的刻蚀。

高速刻蚀

对于具有高深宽比的高速硅基MEMS刻蚀，光滑的侧壁可以通过室温下气体切换工艺或低温工艺即可很容易地实现。

自主研发的ICP等离子源

三螺旋平行板天线(PTSA)等离子源是SENTECH等离子体工艺设备的属性。PTSA源能生成具有高离子密度和低离子能量的均匀等离子体。它具有高耦合效率和非常好的起辉性能，非常适用于加工各种材料和结构。

动态温度控制

在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的温度范围内提供了优良的工艺条件。

SI 500为研发和生产提供的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。灵活性和模块化是SI 500主要的设计特点。

SI 500 ICP等离子刻蚀机，可以用于加工各种各样的衬底，从直径高达200 mm的晶片到装载在载片器上的零件。单晶片预真空室稳定的工艺条件，并且切换工艺非常容易。

SI 500 ICP等离子刻蚀机，通过配置可用于刻蚀不同材料，包括但不 于例如三五族化合物半导体(GaAs, InP, GaN, InSb)，介质，石英，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),还有金属等。

SENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子刻蚀机也可用作多腔系统中的工艺模块。

SI 500：

· ICP等离子刻蚀机

· 带预真空室

· 适用于200mm的晶片

· 衬底温度从-20 °C到300 °C

SI 500 C:

· 等温ICP等离子刻蚀机

· 带传送腔和预真空室

· 衬底温度从-150 °C到400 °C

·

SI 500 RUE:

· RIE等离子刻蚀机

· 背面氦气冷却刻蚀的智能解决方案

· 电容耦合等离子体源，可升级成ICP等离子体源PTSA

SI 500-300:

· ICP等离子刻蚀机

· 带预真空室

· 适用于300mm晶片