技术参数
品牌: | ROHM |
型号: | RTR020N05TL |
批号: | 07+ |
数量: | 2000 |
制造商: | ROHM Semiconductor |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | SOT-346T-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 45 V |
Id-连续漏极电流: | 2 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 180 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 500 mV |
Qg-栅极电荷: | nC |
最小工作温度: | - 55 C |
工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 1 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | mm |
长度: | mm |
系列: | RTR020N05 |
晶体管类型: | 1 N-Channel MOSFET |
宽度: | mm |
下降时间: | 11 ns |
上升时间: | 16 ns |
典型关闭延迟时间: | 21 ns |
典型接通延迟时间: | 11 ns |
零件号别名: | RTR020N05 |
单位重量: | 31 mg |
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