波兰VIGO公司成立于1993年，拥有一支超过30年红外探测器研究经验的专家队伍，是MCT/InAs/InAsSb探测器的设计者和制造商，提供低温制冷的红外探测器、III-V族外延片，覆盖1-16μm光谱范围，同时提供探测器模块、前置放大器、TEC温控等组件和解决方案。提供VCSEL晶圆和InGaAs晶圆。
产品介绍
VIGO的ENT外延部门生产III-V(GaAs-，InP-)相关的半导体化合物，在外延方面有35年的经验，并且能够根据客户需求提供定制服务。VIGO利用MOCVD外延技术制备了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半导体的原子工程外延层，具有德国柏林厂商Laytec的监控生产系统，拥有水平层流反应器，进行基片载流子的多次旋转产品。这条新产品线扩展了VIGO公司的产品组合，为各种微电子和光子应用提供外延服务，下游的应用包含三极管，二极管，激光器，探测器等。具有以下特点：
- 外延纳米技术，超越单一技术解决方案
- 大规模生产或小批量制造，提供多类优质外延片
- 生产的高级III-V族化合物半导体外延结构，被广泛运用于光子设备（F-P、VCSEL、QCL激光器、光电探测器）、微电子设备（二极管、晶体管）
- 聚焦无线、电信、传感或打印领域的高度创新型产品，可提供全面的研发服务。
主要特点
- 超高纯度
- 精确控制厚度在±1nm
- 优秀的均匀性
- 重现性
- 可外延尺寸 2, 3, 4，8英寸
产品性能
XRD曲线：
产品纯度一致性：
表面粗糙度：
量子井：
产品应用
半导体类型：
- 场效应晶体管，被动器件，高迁移率晶体管
- EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots
- LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness
- InGaAs, AlGaAs探测器,SWIR, LWIR
外延晶圆类型：
- GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P
- InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y
| GAAS BASED PRODUCTS | INP BASED PRODUCTS | ||
| AlGaAs/GaAs | QW edge emitting lasers
VCSELs FETs, HEMTs, Schottky diodes varactors | InGaAsP/InP | strained or matched QW edge emitting lasers and SOAs 1300 – 1600nm |
| GaAsP/GaAs | strained QW edge emitting lasers | InGaAs/InP | QW edge emitting lasers |
| InGaAsP/GaAs | QW lasers 808nm | InGaAsP/InP | VCSEL structures |
| InGaAs/AlGaAs/GaAs | strained QW lasers | InAlGaAs/InP | edge emitting and VCSEL structures |
| InAs/GaAs | QD lasers | InGaAsP/InP | passive devices |
| AlGaAs/GaAs | passive waveguides | InGaAs | photodetectors |
| Manufactured to specification | InAlAs/InGaAs/InP | HEMTs | |
| Manufactured to specification | |||
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