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HgCdTe(MCT)多通道检测模块

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参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准
  • 产品型号:
  • 品牌:
  • 产品类别:感应器
  • 所在地:深圳市
  • 信息完整度:
  • 样本:
  • 更新时间:2023-08-15 18:54:07
  • 浏览次数:22
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深圳市唯锐科技有限公司

  • 经营模式:
  • 商铺产品:62条
  • 所在地区:
  • 注册时间:2023-08-15
  • 最近登录:2023-08-15
  • 联系人:杨先生 (经理)
产品简介

VIGOPhotonics提供针对不同波长的四象限和多元线阵探测器模块,基于HgCdTe材料,集成了跨阻抗、直流耦合四通道前置放大器、TE制冷和风扇

详情介绍

VIGO Photonics 提供针对不同波长的四象限和多元线阵探测器模块,基于HgCdTe材料,集成了跨阻抗、直流耦合四通道前置放大器、TE制冷和风扇。四象限模块适合用于测量光束的移动或作为对准系统的反馈;多元线阵探测器多用于非接触式的温度测量,常用于铁路运输。除标准5μm和10.6μm模块,根据不同应场景,可接受定制。

四象限模块

1、QM-5,四象限,制冷模块,光敏面4×(0.2×0.2)

Specification (Ta = 20°C)
Parameter Typical value
Optical characteristics
Cut-on wavelength λcut-on (10%), µm 3.5±0.5
Peak wavelength λpeak, µm 4.5±0.5
Optimum wavelength λopt, µm 5
Cut-off wavelength λcut-off (10%), µm 6.0±0.5
Detectivity D*(λpeak), cm·Hz1/2/W ≥7.0×109
Detectivity D*(λopt), cm·Hz1/2/W ≥6.8×109
Output noise density vn(100 kHz), nV/Hz1/2 ≤500
Electrical parameters
Voltage responsivity Rv(λpeak, RL = 1 MΩ*)), V/W ≥1.7×105
Voltage responsivity Rv(λopt, RL = 1 MΩ*)), V/W ≥1.6×105
Low cut-off frequency flo, Hz DC
High cut-off frequency fhi, Hz ≥1M
Output impedance Rout, Ω 50
Output voltage swing Vout (RL = 1 MΩ*)), V 0 – 4
Output voltage offset Voff, mV max ±20
Power supply voltage Vsup, VDC 7.5
Power consumption, W max 6
Other information
Active elements material epitaxial HgCdTe heterostructure
Active areas A, mm×mm 4×(0.2×0.2)
Distance between active elements, mm 0.02
Window pSiAR
Acceptance angle Φ ~70°
Ambient operating temperature Ta, °C 10 to 30
Signal output sockets 4×MCX
Power supply socket DC 2.1/5.5
Mounting hole M4
Fan yes

2、QM-10.6,四象限,非制冷模块,光敏面4×(1×1)

Specification (Ta = 20°C)
Parameter Typical value
Optical characteristics
Cut-on wavelength λcut-on (10%), µm 3.0±1.0
Peak wavelength λpeak, µm 8.0±2.0
Optimum wavelength λopt, µm 10.6
Cut-off wavelength λcut-off (10%), µm 12.0±1.0
Detectivity D*(λpeak), cm·Hz1/2/W ≥1.0×107
Detectivity D*(λopt), cm·Hz1/2/W ≥4.5×106
Output noise density vn(100 kHz) µV/Hz1/2 ≤4.5
Electrical parameters
Voltage responsivity Rv(λpeak, RL = 1 MΩ*)), V/W ≥2.2×102
Voltage responsivity Rv(λopt, RL = 1 MΩ*)), V/W ≥1.1×102
Low cut-off frequency flo, Hz DC
High cut-off frequency fhi, Hz ≥1M
Output impedance Rout, Ω 50
Output voltage swing Vout(RL = 1 MΩ*)), V 0 – 4
Output voltage offset Voff, mV max ±20
Power supply voltage Vsup, VDC 7.5
Power consumption, W max 6
Other information
Active elements material epitaxial HgCdTe heterostructure
Active areas A, mm×mm 4×(1×1)
Distance between active elements, mm 0.15±0.1
Window none
Acceptance angle Φ ~70°
Ambient operating temperature Ta, °C 10 to 30
Signal output sockets 4×MCX
Power supply socket DC 2.1/5.5
Mounting hole M4
Fan yes

 

多元线阵模块

1、4EM-5,1×4线阵,制冷模块,光敏面4×(0.2×0.2)

Specification (Ta = 20°C)
Parameter Typical value
Optical characteristics
Cut-on wavelength λcut-on (10%), µm 3.5±0.5
Peak wavelength λpeak, µm 4.5±0.5
Optimum wavelength λopt, µm 5
Cut-off wavelength λcut-off (10%), µm 6.0±0.5
Detectivity D*(λpeak), cm·Hz1/2/W ≥7.0×109
Detectivity D*(λopt), cm·Hz1/2/W ≥6.8×109
Output noise density vn(100 kHz), nV/Hz1/2 ≤500
Electrical parameters
Voltage responsivity Rv(λpeak, RL = 1 MΩ*)), V/W ≥1.7×105
Voltage responsivity Rv(λopt, RL = 1 MΩ*)), V/W ≥1.6×105
Low cut-off frequency flo, Hz DC
High cut-off frequency fhi, Hz ≥1M
Output impedance Rout, Ω 50
Output voltage swing Vout (RL = 1 MΩ*)), V 0 – 4
Output voltage offset Voff, mV max ±20
Power supply voltage Vsup, VDC 7.5
Power consumption, W max 6
Other information
Active elements material epitaxial HgCdTe heterostructure
Active areas A, mm×mm 4×(0.2×0.2)
Distance between active elements, mm 0.05
Window pSiAR
Acceptance angle Φ ~70°
Ambient operating temperature Ta, °C 10 to 30
Signal output sockets 4×MCX
Power supply socket DC 2.1/5.5
Mounting hole M4
Fan yes

2、4EM-5,1×32线阵,制冷模块,光敏面4×(0.2×0.2)

Specification (Ta = 20°C, Vb = 0 mV) Detection module type
Parameter
32EM-5-01 32EM-5-02
Optical characteristics
Cut-on wavelength λcut-on (10%), µm ≤2.0 3.7±0.2
Peak wavelength λpeak, µm 4.25±0.2 4.75±0.2
Optimal wavelength λopt, µm 5 5
Cut-off wavelength λcut-off (10%), µm 5.6±0.2 5.8±0.2
Detectivity D*(λpeak), cm·Hz1/2/W ≥3.5×109 ≥2.4×109
Detectivity D*(λopt), cm·Hz1/2/W ≥2.2×109 ≥2.2×109
Electrical parameters
Voltage responsivity Rv(λpeak, RLoad = 1 MΩ), V/W ≥3.5×104 ≥5.0×104
Voltage responsivity Rv(λopt, RLoad = 1 MΩ), V/W ≥2.2×104 ≥4.6×104
Low cut-off frequency flo, Hz DC DC
High cut-off frequency fhi, kHz ≥400 ≥650
Output impedance Rout, Ω 50 50
Output voltage swing Vout (RLoad = 1 MΩ), V -1
(negative output)
-1
(negative output)
Output voltage offset Voff, mVDC max -200 max -200
Power supply voltage Vsup, VDC 5 5
Other information
Active elements material epitaxial HgCdTe heterostructure
Number of elements 1×32 linear array
Active area of single element A, mm×mm 0.125×1 0.1×0.1
Distance between active elements, µm 25 50
Window pAl2O3AR
Acceptance angle Φ ~70°
Ambient operating temperature Ta, °C 10 to 30

应用领域

  • CO2激光(10.6µm)测量
  • 激光功率监控,激光束轮廓和定位
  • 激光校准
  • 光谱学(气体检测,呼吸分析)
  • 慢速和快速非接触式温度测量(铁路运输、工业和实验室过程监控)
  • 光学分拣系统
  • 激光束轮廓和定位
  • 火焰和爆炸检测
  • 国防和安全
  • 燃烧过程控制
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