N沟道 Si MOSFET IPA90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3针 TO-220FP封装
提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类 佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 通道类型 | N |
| 大连续漏极电流 | 5.1 A |
| 大漏源电压 | 900 V |
| 大漏源电阻值 | 2.5 Ω |
| 大栅阈值电压 | 3.5V |
| 小栅阈值电压 | 2.5V |
| 大栅源电压 | ±30 V |
| 封装类型 | TO-220FP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 31 W |
| 长度 | 10.65mm |
| 尺寸 | 10.65 x 4.85 x 16.15mm |
| 晶体管材料 | Si |
| Board Level Components | Y |
| 高度 | 16.15mm |
| 高工作温度 | +150 °C |
| 典型输入电容值@Vds | 710 pF @ 100 V |
| 典型关断延迟时间 | 400 ns |
| 宽度 | 4.85mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型接通延迟时间 | 70 ns |
| 典型栅极电荷@Vgs | 28 nC @ 10 V |
| 低工作温度 | -55 °C |
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