产品简介
N沟道SiMOSFETIRLR024NPBF,17A,Vds=55V,3针DPAK封装通道类型N大连续漏极电流17A大漏源电压55V大漏源电阻值65mΩ大栅阈值电压2V小栅阈值电压1V大栅源电压±16V封装类型DPAK安装类型表面贴装引脚数目3晶体管配置单通道模式增强类别功率MOSFET大功率耗散45W长度6
详情介绍
N沟道 Si MOSFET IRLR024NPBF, 17 A, Vds=55 V, 3针 DPAK封装
| 通道类型 | N |
| 大连续漏极电流 | 17 A |
| 大漏源电压 | 55 V |
| 大漏源电阻值 | 65 mΩ |
| 大栅阈值电压 | 2V |
| 小栅阈值电压 | 1V |
| 大栅源电压 | ±16 V |
| 封装类型 | DPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 45 W |
| 长度 | 6.73mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 宽度 | 6.22mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型接通延迟时间 | 7.1 ns |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 5 V |
| 典型输入电容值@Vds | 480 pF @ 25 V |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns |
| Board Level Components | Y |
| 高度 | 2.39mm |
| 系列 | HEXFET |
| 高工作温度 | +175 °C |
| 晶体管材料 | Si |
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