N沟道 Si MOSFET SPW35N60C3, 34 A, Vds=650 V, 3针 TO-247封装
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 34 A |
大漏源电压 | 650 V |
大漏源电阻值 | 100 mΩ |
大栅阈值电压 | 3.9V |
小栅阈值电压 | 2.1V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
晶体管配置 | 单 |
引脚数目 | 3 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 313 W |
系列 | CoolMOS C3 |
高度 | 21.1mm |
Board Level Components | Y |
宽度 | 5.21mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |
典型接通延迟时间 | 10 ns |
低工作温度 | -55 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 150 nC @ 10 V |
典型输入电容值@Vds | 4500 pF @ 25 V |
典型关断延迟时间 | 70 ns |
高工作温度 | +150 °C |
尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
长度 | 16.13mm |
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