N沟道 Si MOSFET 晶体管 CSD18532KCS, 169 A, Vds=60 V, 3针 TO-220封装
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 169 A |
大漏源电压 | 60 V |
大漏源电阻值 | 5.3 mΩ |
大栅阈值电压 | 2.2V |
小栅阈值电压 | 1.5V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-220 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 250 W |
晶体管材料 | Si |
典型关断延迟时间 | 24.2 ns |
尺寸 | 10.67 x 4.7 x 16.51mm |
长度 | 10.67mm |
典型输入电容值@Vds | 3900 pF @ 30 V |
典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
低工作温度 | -55 °C |
典型接通延迟时间 | 7.8 ns |
高工作温度 | +175 °C |
宽度 | 4.7mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
高度 | 16.51mm |
Board Level Components | Y |
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