N沟道 Si MOSFET FDD5N60NZTM, 2.4 A, Vds=600 V, 3针 DPAK封装
UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有 小通态电阻，还提供的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（*技术扩展）和电子灯镇流器。
MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 *的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
| 通道类型 | N |
| 大连续漏极电流 | 2.4 A |
| 大漏源电压 | 600 V |
| 大漏源电阻值 | 2 Ω |
| 小栅阈值电压 | 3V |
| 大栅源电压 | ±25 V |
| 封装类型 | DPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 引脚数目 | 3 |
| 通道模式 | 增强 |
| 大功率耗散 | 83 W |
| 宽度 | 6.22mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| Board Level Components | Y |
| 高度 | 2.39mm |
| 高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 6.73mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 典型输入电容值@Vds | 450 pF @ 25 V |
| 典型关断延迟时间 | 35 ns |
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