产品简介
N沟道SiMOSFETIRFZ48VPBF,72A,Vds=60V,3针TO-220AB封装 通道类型N大连续漏极电流72A大漏源电压60V大漏源电阻值12mΩ大栅阈值电压4V小栅阈值电压2V大栅源电压±20V封装类型TO-220AB安装类型通孔引脚数目3晶体管配置单通道模式增强类别功率MOSFET大功率耗散150W高度8
详情介绍
N沟道 Si MOSFET IRFZ48VPBF, 72 A, Vds=60 V, 3针 TO-220AB封装
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 72 A |
大漏源电压 | 60 V |
大漏源电阻值 | 12 mΩ |
大栅阈值电压 | 4V |
小栅阈值电压 | 2V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-220AB |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 150 W |
高度 | 8.77mm |
系列 | HEXFET |
高工作温度 | +175 °C |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |
典型接通延迟时间 | 7.6 ns |
低工作温度 | -55 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 110 nC @ 10 V |
典型输入电容值@Vds | 1985 pF@ 25 V |
典型关断延迟时间 | 157 ns |
Board Level Components | Y |
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 72 A |
大漏源电压 | 60 V |
大漏源电阻值 | 12 mΩ |
大栅阈值电压 | 4V |
小栅阈值电压 | 2V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-220AB |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 150 W |
高度 | 8.77mm |
系列 | HEXFET |
高工作温度 | +175 °C |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |
典型接通延迟时间 | 7.6 ns |
低工作温度 | -55 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 110 nC @ 10 V |
典型输入电容值@Vds | 1985 pF@ 25 V |
典型关断延迟时间 | 157 ns |
Board Level Components | Y |
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