N沟道 Si MOSFET IRFB4019PBF, 17 A, Vds=150 V, 3针 TO-220AB封装
道类型 | N |
大连续漏极电流 | 17 A |
大漏源电压 | 150 V |
大漏源电阻值 | 95 mΩ |
大栅阈值电压 | 4.9V |
小栅阈值电压 | 3V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-220AB |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
晶体管配置 | 单 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 80000 mW |
低工作温度 | -55 °C |
典型接通延迟时间 | 7 ns |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 4.82mm |
典型关断延迟时间 | 12 ns |
Board Level Components | Y |
尺寸 | 10.66 x 4.82 x 9.02mm |
长度 | 10.66mm |
高工作温度 | +175 °C |
系列 | HEXFET |
高度 | 9.02mm |
典型输入电容值@Vds | 800 pF@ 50 V |
典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V |
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