N沟道 Si MOSFET IRFPG50PBF, 6.1 A, Vds=1000 V, 3针 TO-247AC封装
通道类型 | N |
大连续漏极电流 | 6.1 A |
大漏源电压 | 1000 V |
大漏源电阻值 | 2 Ω |
小栅阈值电压 | 2V |
大栅源电压 | ±20 V |
封装类型 | TO-247AC |
安装类型 | 通孔 |
晶体管配置 | 单 |
引脚数目 | 3 |
通道模式 | 增强 |
类别 | 功率 MOSFET |
大功率耗散 | 190 W |
长度 | 15.87mm |
Board Level Components | Y |
尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm |
宽度 | 5.31mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |
典型接通延迟时间 | 19 ns |
低工作温度 | -55 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 190 nC @ 10 V |
典型输入电容值@Vds | 2800 pF@ 25 V |
典型关断延迟时间 | 130 ns |
高度 | 20.7mm |
高工作温度 | +150 °C |
所有评论仅代表网友意见,与本站立场无关。