EVG®810 LT LowTemp™ Plasma Activation System

EVG®810LT LowTemp™等离子系统

适用于SOI，MEMS，化合物半导体和基板键合的低温等离子体活化系统

技术数据

EVG810 LT LowTemp™等离子活化系统是具有手动操作的单腔独立单元。 处理室允许进行异位处理（晶圆被一一并结合在等离子体室外部）。

特征

表面等离子体活化，用于低温粘结（熔融/分子和中间层粘结）

晶圆键合机制中快的动力学

无需湿工艺

低温退火（400°C）下的粘结强度

适用于SOI，MEMS，化合物半导体和高级基板粘接

高度的材料兼容性（包括CMOS）

EVG810 LT技术数据

晶圆直径（基板尺寸）：50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）

通用质量流量控制器：自校准（高达 sccm）

真空系统：9x10-2 mbar

腔室的打开/关闭：自动化

腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）

可选功能

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3 mbar基本压力

符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/ Si（热氧化）

TEOS / TEOS（热氧化）

绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge

硅/氮化硅

玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半导体：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，环烯烃聚合物

用户可以使用上述和其他材料的“已知方法"配方（可根据要求提供完整列表）