ONDSCALE™ Automated Production Fusion Bonding System

BONDSCALE™ 自动化生产熔合系统

启用3D集成以获得更多收益

技术数据

EVG BONDSCALE旨在满足的融合/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决国际设备和系统路线图（IRDS）中确定的“更多摩尔"逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对齐技术，与现有的熔融粘合平台相比，BONDSCALE大大提高了晶圆粘合生产率，并降低了拥有（CoO）。

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动融合系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。

特征

在单个平台上的200 mm和300 mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用

通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成

支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3D VLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底

技术数据

晶圆直径（基板尺寸）200、300毫米；

数量或过程模块：8；

通量：每小时多40个晶圆

处理系统4个装载口；

特征

多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™等离子活化模块，对准验证模块和脱

胶模块

XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现吞吐量

光学边缘对齐模块：Xmax / Ymax = 18 µm 3σ