Centrotherm 高温氧化系统-Oxidator 150
一、产品简介
德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商,尤其在高温设备领域。CentrothermOxidator 150 经过的研发,能够满足 SiC圆片的高温氧化工艺;同时亦可用于常规的硅圆片的氧化。CentrothermOxidator 150 的反应腔具有性能高、占地小和生产低等特点,为客户提供的工艺灵活度,同时能够有毒气体的安全使用。
设备特点:
炉管和加热器均处于真空密闭反应腔内,上下料腔室可用Ar或 N2进行吹扫,可以有毒气体(如 NO、N2O、H2、NO2等) 的安全使用。
氧化工艺使用 N2O气氛,可以改善 SiO2/SiC接触表面以获得更高的通道迁移率,同时可提高SiC表面氧化物的稳定性和寿命。
提供带有氢氧合成系统的湿氧工艺。
高达 1350 ℃的温度和其他支持功能为 SiC氧化工艺和低界面陷阱密度,高通道移动率的氧化层研制提供可能。
二、适用工艺
高温SiC或Si氧化
氧化后退火(氢气环境)
三、产品特性
性能
圆片尺寸:2″、3″、4″、6″
工艺温度:900 ℃ ~ 1350 ℃
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